技术编号:7225724
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由III族氮化物基化合物半导体形成的发光元件,具体涉及一种III族氮化物基化合物半导体发光元件,其通过剥离作为临时衬底的蓝宝石衬底来生产,从而在剥离界面处具有极好的平滑性。而且,本发明还涉及一种制造发光元件的方法。背景技术 由III族氮化物基化合物半导体例如GaN形成的发光元件是已知的。在其上生长GaN的衬底通常是蓝宝石衬底,它容易获得并且容易加工处理。GaN基半导体层通过蓝宝石衬底上的GaN或AlN缓冲层形成,以形成具有稳定晶体质量的GaN基发...
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