技术编号：7229413
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及适合应用于例如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的发光装置，例如太阳能电池或光学传感器的光接收装置，或者适合应用于例如晶体管或功率装置的电子装置的。背景技术 当LED用作显示器的照射光源或背光时，要求该装置具有高的发光效率和低的正向电压(以下用Vf表示)。日本专利公开No.11-330554揭示了一种氮化物半导体发光二极管，其具有位于n侧氮化物半导体层和p侧氮化物半导体层之间的有源层，通过提供由至少三个层形成的n侧多层膜层而实现改善的光发射...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。