技术编号：7230523
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种静电保护电路结构，特别是涉及一种动态侦测静电保 护电路结构。 背景技术在静电泄放电路中，在金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的栅 极耦合适当的偏置电压，有利于降低M0SFET管寄生三极管的触发电压； 而且在多叉指型MOSFET结构中，还有利于各叉指导通的均匀性。图1、 2 所示电路是目前广泛使用的电阻、电容组成的动态侦测静电泄放电路。在 图1所示的电路中，静电可以直接通过电阻、电容(RC)耦合一定的偏置 电压到静电泄放MOSFET管...
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