技术编号：7230601
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其涉及CMOS晶体管及其制作方法。 背景技术互补式金属氧化物半导体(CMOS )晶体管是现代逻辑电路中的基本单元， 其中包含PMOS与NMOS,而每一个PMOS (NMOS )晶体管都位于掺杂井上， 且都由栅极(Gate)两侧基底中p型(n型)极/漏极区以及源极区与漏极区间 的通道(Channel)构成。目前在制作金属氧化物半导体晶体管时，为了要提升通道移动率(channel mobility),通常会在硅化金属层形成后移除间隙壁。之后...
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