技术编号:7231105
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体加工的。特别涉及在由卤素气体、不活泼气体、氧或氢等的气氛、含有氟和氟化合物的气体(以下称为“含F气体”)与烃系气体(以下称为“含CH气体”)的气氛等构成的环境下,或者在交替重复形成这些气氛的环境下,用于对半导体元件等进行等离子体蚀刻加工等的。背景技术 用于半导体和液晶领域中的器件在加工时,大多利用腐蚀性高的卤素系腐蚀气体的等离子体能量。例如,在作为半导体加工装置之一的等离子体蚀刻处理(加工)装置中,在氯系或氟系的腐蚀性强的气体气氛或者这...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。