技术编号:7231263
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及一种形成纳米级导电结构的方法及由此形成的半导体器件。更具体,本发明的实施例涉及一种使用催化剂形成纳米级结构的方法。背景技术 纳米级导电结构如碳纳米管、硅纳米线等等可以显示出优异的电、热和强度特性,由此可以适用于各种电子器件。为了实现这种纳米级导电结构,必须仅仅在希望的区域上有选择地形成纳米级导电结构。但是,这种选择性形成可能是复杂的,以及可能需要被执行的大量工序。由此,需要一种简化的方法形成纳米级导电结构。发明内容因此本发明涉及一种形成纳...
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