技术编号：7231868
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器，其包括存储元件，该存储元件由将铁磁层的磁化状态作为信息而存储的存储层以及具有固定磁化方向的磁化固定层构成，其中，电流沿垂直于膜表面的方向流动来注入自旋极化电子，以改变存储层的磁化方向。本发明还涉及一种可适合用作非易失性存储器的包括存储元件的存储器。背景技术 高速与高密度DRAM已广泛用作诸如计算机的信息装置中的随机存取存储器。然而，由于DRAM是一种当电源被切断时会擦除信息的易失性存储器，所以需要切断电源时不会擦除信息的非易失性存储器...
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