技术编号：7232711
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子，尤其涉及一种多介质复合隧穿层的纳米 晶浮栅存储器及其制作方法。背景技术浮栅结构存储器是目前被大量使用和普遍认可的主流存储器类型，是 一种十分重要的半导体元器件，被广泛应用于电子和计算机行业。传统的 浮栅结构存储器由于其自身结构与材料选择的要求，具有快速写入/擦除操 作和长时间高稳定性存储相冲突的局限性，且随着技术节点的縮小，这一 矛盾并没有得到明显改善，进而限制了浮栅存储器的发展。随着特征尺寸进入到纳米级，如何适应工艺的发展，在减小存储单...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。