技术编号：7232770
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体器件的方法，更具体而言，涉及一种在 半导体器件中制造精细图案的方法。背景技术当形成100nm或更小的精细图案时，非晶碳用作硬掩模堆叠结构的 一部分，该硬掩模堆叠结构用于使N沟道金属氧化物半导体场效晶体管 (NMOSFET)器件进行图案化。该技术允许更容易地图案化，且表现 出比氧化硅(Si02)层、氮化硅(Si3N4)层以及氧氮化硅(SiON)层 的典型覆盖或保护材料更好的选择性。然而，与使用多晶硅层作为硬掩模相比，使用非晶碳作为硬掩...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。