技术编号：7232922
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使漏极-源极区域间的耐击穿电压提高的半导体装置及其 制造方法。背景技术作为现有的的一实施例，公知有下述的P沟道型MOS晶体管。准备含有P型杂质的半导体衬底，在半导体衬底的P沟 道型MOS晶体管的形成区域离子注入磷(P)并进行热扩散，由此，形成 N型阱区域。然后，在N型阱区域以80 200(keV)的能量离子注入磷(P), 形成N型扩散区域。并且，通过作为退火的热处理，N型扩散区域在深度 为0.4 ~ 0.7 (pm)的区域以1.0xl0" 4.0...
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