技术编号：7235683
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高耐压晶体管及其制造方法，更详细地说，涉及液晶驱 动器等中具有沟槽结构的高耐压晶体管及其制造方法。背景技术以往提出起到高耐压MOS晶体管作用的半导体装置。如图15所 示，该高耐压MOS晶体管在硅衬底71上设置元件隔离用的隔离区域72 与电场緩和层73，隔着栅极氧化膜74在电场緩和层73上以在两端部重 叠的方式形成栅电极75,在栅电极75的两侧设置与栅电极75隔开固定 距离、即所谓的偏移(offset)结构的源极/漏极区域76。在这样结构的 高耐压...
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