技术编号：7235689
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及结型场效应管(FET)及其制造方法，特别是涉及高耐压且能 够提高高频特性及噪声特性的。背景技术现有的结型场效应管中，例如在p型半导体衬底上^L置成为沟道区域的n 型陷阱区域，在n型陷阱区域设置n+型源极区域及漏极区域，且在源极区域 及漏极区域之间形成有栅极区域(例如参照专利文献1 )。参照图9说明现有的结型场效应管200。图9 (A)是表示现有的结型场 效应管200的平面图，图9 (B)是图9(A)的b-b线剖面图。在p型衬底21上使p型外延层2...
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