技术编号：7235703
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及半导体器件处理技术和，更具体而言，涉及一种用于 减小包括绝缘体上硅(SOI)器件的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)器件中的浮体效应的方法和结构。背景技术对于集成电路增加的性能、功能性和制造经济的要求已导致了极大的 集成密度以便减小信号传输时间并增加抗噪声度，同时也增加了单个的工 艺序列在芯片或晶片上可以形成的电路与器件的数目。将器件按比例缩小 至这样小的尺寸限制了操作裕度并使增加芯片上所形成的半导体器件电特 性的均匀性成为必需。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。