技术编号：7236949
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米加工，尤其涉及一种采用电子束蒸发方 式制备Hf02纳米晶的方法。背景技术半个多世纪以来，以CMOS为主流技术的半导体集成电路一直在 遵循"摩尔定律"迅速发展，其特征尺寸已进入到纳米级，但同时也面 临着越来越严重的挑战，因此基于新材料、新原理的纳米电子器件如 各种硅量子点器件、纳米线、纳米管器件、单电子器件等成为研究的 热点。存储器领域，传统的非挥发性浮栅存储器当尺寸縮小到70nm以下 会达到缩小极限。因此，在多晶硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅...
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