技术编号:7237113
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。存储器件背景技术快闪存储器件具有EPROM和EEPROM的优点,EPROM具有编 程和擦除特性,EEPROM具有电编程和擦除特性。快闪存储器件能够 存储1位数据并进行电编程和擦除操作。如在例图1中所示,快闪存储器件可以包括形成在硅半导体衬底1 上和/或上方的薄隧道氧化物层3、形成在隧道氧化物层3上和/或上方 的浮置栅极4、形成在浮置栅极4上和/或上方的绝缘层5、形成在绝缘 层5上和/或上方的控制栅极6、和形成在硅半导体衬底1上和/或上方 的源极/漏极区2。...
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