技术编号：7237313
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LED (发光二极管)芯片的制备方法，更具体地说，涉及一 种LED的。背景技术在半导体产业的发展过程中， 一般将Si、 Ge称为第一代半导体材料； GaAs、 InP、 GaP、 InAs、 AlAs及其三元、四元合金等称为第二代半导体材料； 而以GaN为代表的宽禁带半导体材料(带隙大于2.3eV)在最近几年得到了 迅猛的发展，因此被人们称为第三代半导体材料。第三代半导体材料主要包括 SiC、 ZnSe、金刚石、GaN以及GaN基化合物，其优良性...
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