技术编号：7237494
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子学与固体电子学，涉及一种集成电路的基本 单元MOSFET，具体涉及一种全耗尽FD Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构， 本发明还涉及该器件结构的制备方法。 背景技术SOI器件由于具有寄生电容小、易形成浅结、可以避免闩锁效应、良好 的电学特性等优点，成为深亚微米工艺中极具潜力的一种技术。但是由于 SOI器件的埋层使用的是热导率很低的Si02，所以电路工作时在SOI器件沟道区产生的热量很难顺利耗散出去，从而引起热量在沟道区积聚，导致...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。