技术编号：7242000
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。垫片状态化刮扫力矩模式化以达成恒定移除率背景发明领域本发明的具体实施例大体而言是关于一种用于调整电化学机械处理系统中的抛光表面的方法。相关技术的描述在半导体器件制造中，层与结构通过各种处理而沉积与形成在半导体基板上。化学机械抛光(CMP)是一种广泛使用的处理，通过化学机械抛光，抛光垫片与抛光溶液结合而以平坦化基板，或维持平坦度以接收后续层的方式来移除过剩材料。随着时间过去，抛光垫片的有效性会因压力、摩擦、和热同产生自处理淤浆的颗粒、自基板(或从垫片本身)移...
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