技术编号：7245636
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，先于半导体衬底表面形成发光外延层及透明导电层，并对该透明导电层进行退火；然后刻蚀出N电极制备区域，并在所述透明导电层欲制备P电极的区域形成一刻蚀窗口；接着于所述刻蚀窗口制作反射镜；最后制作P电极，使该P电极覆盖所述反射镜表面并与所述透明导电层形成欧姆接触接触，并于所述N电极制备区域制备N电极。本发明具有以下有益效果在P电极下制备高反射层，使得发光区所产生的光子，几乎全部反射回去，很少被P电极吸收，从而提高LED芯片的出光效率。专利说明[0001...
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