技术编号：7245820
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，涉及半导体。本发明的半导体器件的制造方法，通过在形成双应力衬垫之前在形成层间介电层，填平了NMOS和PMOS之间的间隙，使得在形成DSL前整个器件的上表面保持平整，保证了NMOS的第一应力层和PMOS的第二应力层可以在半导体衬底表面规则的形成，并在NMOS和PMOS的交界位置实现良好接触，避免了双应力衬垫的不良，因此，可以更好的发挥DSL的应力增强作用，提高器件的载流子迁移率，降低了半导体器件的功耗并提高了半导体器件的速度。相应地，本发明提供的...
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