技术编号:7248132
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种硅衬底上生长氮化物外延层的方法及其半导体器件,该方法包括提供单晶硅衬底;在单晶硅衬底上沉积一层阻挡层;在阻挡层上沉积至少一层包括Al层和AlN层的Al/AlN超晶格层;在Al/AlN超晶格层中AlN层上沉积AlN、GaN或AlGaN外延层,其中,在沉积AlN、GaN或AlGaN外延层过程中Al/AlN超晶格层中的Al层为融化状态,释放与相邻阻挡层或AlN层间的应力;在完成外延层沉积后对所述衬底进行冷却,冷却过程中Al/AlN超晶格层中的Al...
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