技术编号：7249873
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体芯片（100）具有独立电压控制的硅区域（110），该独立电压控制的硅区域是用于控制eDRAM沟槽电容器（140）的电容值和叠置在独立电压控制的硅区域（110）上的场效晶体管（130）的阈值电压的电路元件。独立电压控制的硅区域（110）的底部或地板是深注入区（105），该深注入区的掺杂与独立电压控制的硅区域（110）的掺杂相反。独立电压控制的硅区域（110）的顶部或天花板是诸如注入在基板中的埋设的氧化物（103）。独立电压控制的硅区域的侧部是深沟槽...
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