技术编号：7250481
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。公开了一种晶体管结构（100），具有完全硅化的外基极以用于降低基极电阻Rt。具体而言，金属硅化物层（120）覆盖外基极（108），包括外基极的延伸于T形发射极（150）的上部（152）下方的部分。用于确保金属硅化物层（120）覆盖外基极（108）的该部分的一种示例性技术要求使发射极（150）的上部（152）成楔形。该楔形允许发射极（150）的上部（152）下方的牺牲层在处理期间被完全去除，由此暴露下面的外基极（108）并且允许硅化所需的金属层（120）沉积...
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