技术编号:7250481
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。公开了一种晶体管结构(100),具有完全硅化的外基极以用于降低基极电阻Rt。具体而言,金属硅化物层(120)覆盖外基极(108),包括外基极的延伸于T形发射极(150)的上部(152)下方的部分。用于确保金属硅化物层(120)覆盖外基极(108)的该部分的一种示例性技术要求使发射极(150)的上部(152)成楔形。该楔形允许发射极(150)的上部(152)下方的牺牲层在处理期间被完全去除,由此暴露下面的外基极(108)并且允许硅化所需的金属层(120)沉积...
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