技术编号:7253634
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是通过等离子体CVD法在基板上形成半导体层的,具有处理温度达到第一温度的第一等离子体处理工序(S10)以及处理温度达到第二温度的第二等离子体处理工序(S40),进而在第一等离子体处理工序(S10)之后且第二等离子体处理工序(S40)之前具有使处理温度降至低于第一温度及第二温度的第三温度的调温工序(S20)及使处理温度从第三温度升至第二温度的升温工序(S30),第一等离子体处理工序、调温工序、升温工序及第二等离子体处理工序在同一反应室内进行。专利说明[...
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