技术编号：7253876
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的稀释氮化物III-V族半导体材料可以通过以下方式形成用As原子取代预先形成的氮化物材料中的部分N原子从而将预先形成的氮化物的至少一部分转变为包含砷的稀释氮化物III-V族半导体材料。此种方法可以用于制造光敏器件，如光伏电池和发光体。所述方法可以在沉积腔室、如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或气相外延(HVPE)腔室中实施。专利说明用于光敏器件的稀释氮化物半导体材料的制造方法及相关结构体[0001]本发明的实施方式大致涉及用于光敏器件(photoa...
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