技术编号：7253990
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了用于相对于金属导电材料如钨和绝缘材料选择性地将氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料从在其上具有所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件除去的组合物。所述去除组合物包含至少一种氧化剂和一种蚀刻剂，可以包含各种腐蚀抑制剂以确保选择性。专利说明 [0001] 本发明涉及一种用于在金属导体和绝缘体材料（即低k电介质）存在下选择性 蚀刻氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物的组合物和方法，更特别地，涉及在比铜、钨和低 k介电材料的暴露层或底层...
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