技术编号：7256001
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请提供了一种CMOS图像传感器及其制备方法。该CMOS图像传感器包括半导体衬底，内部形成有多个光电二极管；介电层，形成在半导体衬底上；反光层，形成在介电层上；绝缘层，形成在反光层上；平坦化层，形成在绝缘层上；微透镜，形成在平坦化层上；多个滤光片设置槽，形成在介电层、反光层、绝缘层中相应于各光电二极管的位置；以及多个滤光片，一一对应地设置在各滤光片设置槽中。该CMOS图像传感器通过在介电层上设置反光层，避免了杂散光与衍射线串扰进入相邻的光电二极管中，使得...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。