技术编号:7256965
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,与现有技术纯湿法刻蚀硬掩膜形成的预填充制备浮栅的沟槽相比较,本发明形在两次湿法刻蚀第一硬掩膜之间增加了对隔离结构的湿法刻蚀以形成横截面为T型的沟槽,一方面由于该沟槽为T型轮廓,有利于增大后续预制备的浮栅及控制栅的接触面积,以提高栅耦合系数,从而提高闪存存储器的额定漏电流及擦除速度,另一方面,在两次湿法刻蚀第一硬掩膜之间增加对隔离结构的湿法刻蚀,降低该沟槽的深宽比,在后续填充制备浮栅时避免产生空洞缺陷,有利于提高后续填充沟槽形成浮栅的致密性,不仅...
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