技术编号:7258083
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种,选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法包括如下步骤,对制绒后的硅片进行重扩散;在重扩散后的硅片的电极区的上面镀掩膜;用氢氟酸和含有Ag+、Fe3+、Au3+或Cu2+中的一种或多种金属离子的混合溶液对镀掩膜后的硅片进行后刻蚀。本发明的选择性纳米发射极太阳能电池的发射极方阻均匀、反射率低、表面复合和俄歇复合低,并且电极能够形成良好的欧姆接触。专利说明 [0001] 本发明涉及太阳能电池制备方法,具体涉及一种选择性纳米发射极太阳能电池及 ...
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