技术编号：7258290
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种射频LDMOS器件边缘隔离优化结构，在大功率器件中，由于较大的栅宽导致的漏电，在边缘进行隔离时，将源极金属层向漏极金属层与隔离环区交界的区域延伸，利用源极金属层的接地，将漏极金属层与隔离环进行屏蔽，防止漏极金属中较高的电压导致隔离环区反型而产生漏电，方法简单易于实施且效果良好。本发明还公开了所述射频LDMOS器件边缘隔离优化结构的制造方法。专利说明射频LDMOS器件的边缘隔离结构及制造方法 [0001]本发明涉及半导体集成电路制造领域...
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