技术编号：7258352
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、低k介电层、缓冲层和硬掩膜层；在低k介电层中形成铜金属互连结构；去除通过铜金属互连结构露出的蚀刻停止层；分三步实施蚀刻后处理过程；在铜金属互连结构中形成铜金属层。根据本发明，可以有效去除实施双大马士革工艺所需的蚀刻过程产生的残留物和杂质，恢复低k介电层的固有介电常数，减少通过铜金属互连结构连通的下层铜互连金属的损失，使铜金属互连结构具有较小的接触电阻，避免铜金属互连结构出现开路现象。专利说明...
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