技术编号：7258354
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，包括步骤a提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有阱，在所述阱上形成鳍片；步骤b在所述鳍片上形成栅极结构；步骤c对所述栅极结构一侧的漏极区域进行LDD离子注入；在所述漏极区域上外延生长第一半导体材料并进行掺杂，形成抬升漏极；步骤d对所述栅极结构另一侧的源极区域进行与漏极区域不同类型的LDD离子注入；在所述漏极区域上外延生长第二半导体材料并进行掺杂，形成抬升源极。在本发明中将隧道场效应晶体管(TFET)与所述鳍片场效应晶体管Finfet的制备工艺...
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