技术编号：7258467
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种静电放电保护结构，包括半导体衬底；位于半导体衬底表面的平行排列的若干个N型横向扩散场效应晶体管；位于半导体衬底内的P型体区，P型体区内具有源极、沟道区和体区连接区，体区连接区位于每一个N型横向扩散场效应晶体管靠近源极的外侧；每一个N型横向扩散场效应晶体管的漏极与静电放电输入端相连接，每一个N型横向扩散场效应晶体管的源极与接地端相连接，每一个N型横向扩散场效应晶体管的栅极与第一控制电压端相连接，每一个体区连接区与第二控制电压端相连接。多个LDMOS晶体管...
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