技术编号：7259281
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种静电放电保护结构，包括P型衬底，位于所述P型衬底内的触发三极管和可控硅结构；所述可控硅结构包括位于所述P型衬底内的第一N型阱区和P型阱区，所述第一N型阱区和P型阱区相邻且相接触，位于所述第一N型阱区内的第一P型掺杂区，位于所述P型阱区内的第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；所述触发三极管的集电极、第一P型掺杂区与静电放电输入端相连接，所述第二N型掺杂区与静电放电输出端相连接，所述触发三极管的发射极、第二P型掺杂区与升压电阻的一端相连接，所述升压电阻的另一端...
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