技术编号：7259330
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。呈现。该方法包括在大于大约10托的压强在非氧化气氛中热处理半导体组件。该半导体组件包括设置在支撑物上的半导体层，并且该半导体层包括镉和硫。专利说明[0001]本发明大体上涉及处理半导体组件的方法。更特定地，本发明涉及处理包括镉和硫的半导体层的方法。背景技术[0002]薄膜太阳能电池或光伏器件典型地包括多个设置在透明衬底上的半导体层，其中一层充当窗口层，并且第二层充当吸收体层。该窗口层允许太阳辐射穿透到该吸收体层，其中光能被转换成可用的电能。窗口层结合吸收体...
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