技术编号：7259656
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是揭露一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)组件，包含基底；第一氧化层设于该基底上；富硅陷补层(silicon-rich trapping layer)设于该第一氧化层上；含氮层设于该富硅陷补层上；富硅氧化层(silicon-rich oxide layer)设于该含氮层上；以及多晶硅层设于该富硅氧化层上。专利说明 [0001]本发明是关于一种SONOS组件及其制作方法。 背景技术 [0002]非挥发性内存装置具有不因电源供应中断...
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