鳍式场效应晶体管及其形成方法技术资料下载

技术编号:7259759

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一种,所述鳍式场效应晶体管包括半导体衬底,所述半导体衬底上形成有分立的第一鳍部和第二鳍部;覆盖所述第一鳍部、第二鳍部和半导体衬底表面的第一掺杂层;位于半导体衬底的隔离层,所述隔离层的表面低于第一鳍部和第二鳍部顶端上的第一掺杂层表面;横跨所述第一鳍部的侧壁和顶端表面的栅极结构;位于隔离层上的介质层,所述介质层覆盖所述栅极结构和第二鳍部;位于介质层中的通孔,所述通孔暴露出第二鳍部顶端上的第一掺杂层;填充所述通孔的导电插塞,所述导电插塞用于连接偏置控制电压。通过...
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