技术编号:7260683
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体器件包括第一导电类型的半导体衬底,形成在半导体衬底中的第二导电类型的第一区域,形成在第一区域中的第一导电类型的第二区域,形成在第二区域中的第二导电类型的源区,形成在第一区域中的第二导电类型的漏区,在漏区的侧面上包括第一区域与第二区域之间的一部分边界的第一结部分,在与第一结部分不同的位置处包括第一区域与第二区域之间的一部分边界的第二结部分,形成在第一结上方的栅极,以及形成在第二结部分上方并且电性独立于栅极的导体图案。本发明提供的半导体器件能够提高击...
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