技术编号：7262165
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种薄膜晶体管，其包括栅电极；设置在栅电极上的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上的半导体；设置在半导体的沟道上的蚀刻阻挡件；设置在半导体上的源电极；以及设置在半导体上的漏电极。源电极和漏电极中的至少一个不与蚀刻阻挡件叠置。蚀刻阻挡件与半导体的沟道的至少一个尺寸基本上相同。专利说明[0001]示例性实施例涉及薄膜晶体管技术，更具体地，涉及包括蚀刻阻挡件的。背景技术[0002]诸如电阻器、电容器、二极管、感应器和薄膜晶体管的电子元件应用于各种领域。在这...
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