技术编号：7262183
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了。制造FinFET器件首先接收FinFET前体。FinFET前体包括衬底、鳍和包裹鳍的部分的伪栅叠层。去除伪栅叠层以形成栅极沟槽。在栅极沟槽中沉积高k栅极介电层。在高k栅极介电层上方沉积栅极金属层。在栅极金属层上方沉积导电且低密度的亚稳相材料。实施热处理以将导电且低密度的亚稳相材料转变为导电且高密度的稳相材料并伴随着大幅体积收缩。专利说明 [0001]本发明一般地涉及半导体，更具体地，涉及半导体器件的制造方法。 背景技术 [0002]...
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