技术编号：7262514
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。所述方法包括S1、形成贯穿衬底层的多个孔，使得多个孔的总长度大于深沟槽结构的预设关键尺寸；S2、对外延层中对应于衬底层中的多个孔的位置进行刻蚀，以形成深沟槽结构；S3、以光从外延层向衬底层方向照射晶片，在衬底层表面上形成亮场区和暗场区；S4、识别亮场区中孔的数目，计算深沟槽结构的实际关键尺寸；S5、如果深沟槽结构的实际关键尺寸小于预设关键尺寸，返回步骤S2；如果识别出的衬底层上的孔出现连接，则表明外延层的深沟槽结构已经过刻蚀。本发明能控制...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。