技术编号：7262701
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种PMOS晶体管结构及其制造方法，其中，所述制造方法包括在半导体衬底依次形成第一材料层与第二材料层；在所述第二材料层上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，依次对所述第二材料层、第一材料层以及部分半导体衬底进行第一次刻蚀；对所述第一材料层进行第二次刻蚀；在半导体衬底上形成第三材料层。本发明通过对第一材料层进行第二次刻蚀，增加后续形成的第三材料层的体积，从而进一步增大沟道区域的应力，提高PMOS晶体管载流子迁移率，提高器件性能。专利说明^03晶体...
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