技术编号：7263475
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，包括提供基底；在所述基底上由下至上依次形成待刻蚀层、柱体材料层和硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层和柱体材料层，形成图形化的硬掩膜层和柱体；在所述图形化的硬掩膜层和柱体侧壁形成侧墙；去除所述图形化的硬掩膜层和柱体；去除所述图形化的硬掩膜层和柱体后，以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的待刻蚀层。本技术方案提供的可以得到尺寸精确的图形化的待刻蚀层。专利说明 [0001] 本发明涉及半导体领域，特别涉及到一种。 背景技术 [0002] 半导...
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