技术编号：7264063
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。该气体传感器包括基底层、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述栅绝缘层与有源层连接，栅绝缘层与有源层设置于基底层之间，栅电极、源电极和漏电极分别设置于基底层上，所述栅绝缘层由具有微结构的绝缘材料组成；所述具有微结构的绝缘材料为氧化物或绝缘聚合物。本发明通过在绝缘材料上构造微结构而制备栅绝缘层，当往上述微结构的栅绝缘层里通入气体时，栅绝缘层的电容发生变化，进而引起场效应晶体管性能的改变，从而达到气体检测的目的。本发明的气体传感器检测范围广，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。