技术编号：7264113
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，其中隧穿场效应晶体管包括基底；位于所述基底上的底层鳍部，所述底层鳍部具有第一类型掺杂；位于所述底层鳍部上表面的沟道鳍部，所述沟道鳍部具有第二类型掺杂，第二类型掺杂与第一类型掺杂不同，所述沟道鳍部的电子迁移率大于所述底层鳍部的电子迁移率；横跨所述沟道鳍部的栅极结构；源极，所述源极具有第一类型掺杂；漏极，所述漏极具有第二类型掺杂。本发明提供的隧穿场效应晶体管具有高的工作电流和低的功耗。专利说明 [0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种。 背...
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