技术编号:7264651
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。第一MOSFET形成在芯片的第一区域中,且第二MOSFET形成在其第二区域中。第一源极端子和第一栅极端子形成在第一区域中。在第二区域中,第二源极端子和第二栅极端子被布置为在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向上对齐。温度检测二极管被布置在第一源极端子和第二源极端子之间。温度检测二极管的第一端子和第二端子在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向的第一方向上或基本上与其垂直的第二方向上对齐。专利说明[0001]相关申请交叉...
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