技术编号:7332516
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体静电保护技术,特别涉及一种静电保护结构。背景技术作为静电保护结构,硅控整流器(SCR)中寄生的三极管比金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)有着更强的静电泄放能力,一般硅控整流器的静电泄放能力是MOSFET的5 7倍。图I所示为现有高触发电压硅控整流器的剖面结构示意图。在图I中,P+/高压N阱/高压P阱形成的寄生PNP管Vbp的集电极同时也是N+/高压P阱/高压N阱形成的寄生NPN管Vbn的基极;同样,N+/高压P阱/高压N阱形成的寄...
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