一种igbt保护电路的制作方法技术资料下载

技术编号:7439218

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本发明属于电力电子领域,具体涉及一种IGBT保护电路。 背景技术绝缘栅双极晶体管(IGBT)是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有功率 MOSFET输入阻抗高、工作速度快、易驱动的优点,又具有双极达林顿功率管(GTO)饱和电压低、电流容量大、耐压高等优点,能正常工作于几十KHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率设备(如变频器、UPS电源、高频焊机等)应用中占据了主导地位。IGBT是一个新型器件,由于其控制简单和高耐压、大电流输出特性,而且可用于高频...
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