技术编号:7518579
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体测试领域,具体涉及一种浮动电源仪表放大器。 背景技术根据测试MOSFET类器件的IGSF/R、BVGS等参数的需要,半导体测试仪B-E极间加压和被测电压范围一般应高于士20V,为此对应的测量电路输入范围应大于士20V,测量电路的电源电压应该在士30V以上,考虑到被测试信号的振荡和范围摆动,测量电路所需要的电源电压还会更高些。而双向高压DC/DC成本较高,且稳定性较低,容易引起损坏,难以保证测试系统稳定工作。发明内容为了克服现有技术的缺陷,本...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。