技术编号：7518579
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体测试领域，具体涉及一种浮动电源仪表放大器。 背景技术根据测试MOSFET类器件的IGSF/R、BVGS等参数的需要，半导体测试仪B-E极间加压和被测电压范围一般应高于士20V，为此对应的测量电路输入范围应大于士20V，测量电路的电源电压应该在士30V以上，考虑到被测试信号的振荡和范围摆动，测量电路所需要的电源电压还会更高些。而双向高压DC/DC成本较高，且稳定性较低，容易引起损坏，难以保证测试系统稳定工作。发明内容为了克服现有技术的缺陷，本...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。