技术编号：7532489
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置的输入电路，尤其是涉及相应于在某一时间从第一逻辑电位变化为第二逻辑电位的外部信号产生内部信号，并把这个内部信号提供给内部电路的半导体存储装置的输入电路。现有技术根据传统的技术，在动态随机存取存储器(以下简称DRAM)的各控制信号输入端上，安置了输入缓冲器，用于把外部给予的控制信号/EXT变换为内部控制信号/INT，并把它提供给内部电路。图8是表示现有的DRAM输入缓冲器80结构的电路图。参照图8，这个输入缓冲器80包含“或非”门81...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。